Мировые Новости

15.03.2020

К 90-летию со дня рождения академика, лауреата Нобелевской премии по физике Ж.И. Алфёрова

Картинка которой нет

Фото с сайта: aif.ru

Картинка которой нет

Фото с сайта: ria.ru

Ж.И. Алфёров – легенда отечественной науки, всемирно известный учёный, открытия которого стали основой для создания современных электронных устройств, без которых уже немыслим современный мир: мобильных телефонов, проигрывателей компакт-дисков, лазеров, полупроводников, светодиодов, оптоволоконной связи и многих других. По существу, работы Алфёрова открыли людям дорогу в эру электроники и цифровых технологий.

Нобелевский лауреат по физике (2000) и лауреат Ленинской премии (1972), кандидат технических наук (1961), доктор физико-математических наук (1970), профессор (1972), академик АН СССР (1979), академик РАН (1991), народный депутат СССР и депутат Государственной Думы РФ, почетный почти всех иностранных академий, обладатель многочисленных российских и зарубежных научных наград, перечисление которых занимают не одну страницу.

Работы Алфёрова лежат в основе первых советских транзисторов и полупроводниковых приборов, они имели важное значение для создания диодных лазеров, светодиодов и солнечных батарей. Благодаря Жоресу Ивановичу СССР достиг в этой сфере технологического паритета с США.

За его научные труды Жоресу Ивановичу Алфёрову в 2000 году совместно с американскими учеными Джеком Килби и Гербертом Кремером присуждена Нобелевская премия по физике.

До своей смерти ученый работал в области нанотехнологий, полупроводниковой и квантовой электроники. Он является автором более 600 научных работ, 3 монографий, 50 изобретений. Ушёл из жизни великий учёный 1 марта 2019 году, в ночь с пятницы на субботу в 23:40 по московскому времени. Похоронен в Санкт-Петербурге.

Журнал «Форбс» включил Ж.И. Алфёрова в список 100 самых влиятельных россиян последнего столетия.

Президент РФ В.В. Путин поручил правительству России «учредить, начиная с 2020 года, десять персональных стипендий имени Жореса Алферова для молодых ученых в области физики и нанотехнологий».