Мировые Новости

10.10.2000

Жорес Иванович Алфёров обещал «гетеропереходировать всю полупроводниковую микроэлектронику»

Картинка которой нет

Фото с сайта: miptstream.ru

Картинка которой нет

Фото с сайта: aif.ru

Шведская Королевская Академия наук удостоила Нобелевской премии по физике за 2000 год Жореса Ивановича Алферова, руководителя

программы «Физика твердотельных наноструктур» в Физико-техническом институте имени А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), и Герберта Кремера (Калифорнийский институт в Санта Барбаре, США) за развитие физики полупроводниковых гетероструктур для высокочастотной техники и оптоэлектроники.

Ученые Физико-технического института имени А.Ф. Иоффе под руководством Жореса Ивановича разработали технологию полупроводниковых гетероструктур с предельным размерным квантованием, что позволило создать новую конструкцию лазеров и лазерных диодов, которые даже при комнатной температуре могут работать в непрерывном режиме. Их труды по созданию быстродействующих транзисторов, лазеров и интегральных схем (чипов) легли в основу современной информационной техники, что сделало Россию лидером в данной области.

Современные информационные системы должны быть компактными и быстродействующими, чтобы как можно больший объем информации передавать за как можно более короткий промежуток времени. Нобелевские лауреаты 2000 года сделали это возможным.

Ж.И. Алферов и Г. Кремер открыли и создали быстродействующие опто- и микроэлектронные устройства на базе полупроводниковых гетероструктур: быстродействующие транзисторы, лазерные диоды для систем передачи информации в оптоволоконных сетях, мощные эффективные светоизлучающие диоды, способные в будущем заменить лампы накаливания.

Гетеропереход – это контакт двух разных по своему химическому составу полупроводников с разной шириной запрещенной зоны. Реализация гетеропереходов обусловила возможность создания электронных и оптоэлектронных приборов чрезвычайно малых размеров вплоть до наномасштабов. Для создания гетероперехода, близкого к идеальному, необходимо было подобрать два разных полупроводника с одинаковыми размерами элементарных ячеек кристаллических решеток. Именно Жоресу Ивановичу Алферову удалось решить эту проблему.